MNS1N6627US/TR

Microchip Technology

MNS1N6627US/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 440V 1.75A E-MELF

В производствеSQ-MELF, BАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)440 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.35 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)1.75A
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 440 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSQ-MELF, B
Корпус производителяE-MELF

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C