Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | 3-Phase |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 6 |
| Product Status | Obsolete |
| Rise / Fall Time (Typ) | 20ns, 20ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 1A, 1A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Напряжение питания | 10V ~ 20V |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Корпус производителя | 28-SOIC |
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TJ) |
|---|