Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
|---|---|
| Базовый Part Number | LND150 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.6W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-243AA |
| Корпус производителя | SOT-89-3 |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|