Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
|---|---|
| Базовый Part Number | LND150 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bag |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 740mW (Ta) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-92-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|