Общие
| Базовый Part Number | 2N930 |
|---|---|
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500µA, 10mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
Механические
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-18 |
Среда
| Grade | Military |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/253 |