Общие
| Базовый Part Number | 2N2605 |
|---|---|
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | 2N2605 |
|---|---|
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 400 mW |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Корпус производителя | TO-46-3 |
| Grade | Military |
|---|---|
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/354 |