JANTXV1N6624US/TR

Microchip Technology

JANTXV1N6624US/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A

В производствеSQ-MELF, AАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F10pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)60 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)900 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.55 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 150 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, A
Корпус производителяD-5A

Среда

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C
QualificationMIL-PRF-19500/585