Общие
| Базовый Part Number | 2N3766 |
|---|---|
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 100mA, 1A |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | 2N3766 |
|---|---|
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 25 W |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
| Корпус производителя | TO-66 (TO-213AA) |
| Grade | Military |
|---|---|
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/518 |