JANTX1N5809US

Microchip Technology

JANTX1N5809US

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

В производствеSQ-MELF, BАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N5809
Capacitance @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 4 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSQ-MELF, B
Корпус производителяB, SQ-MELF

Среда

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/477