JANS1N5809/TR

Microchip Technology

JANS1N5809/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 100V 3A

В производствеB, AxialАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 4 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseB, Axial
Корпус производителяB, Axial

Среда

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/477