JANS1N5806US

Microchip Technology

JANS1N5806US

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

В производствеSQ-MELF, AАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N5806
Capacitance @ Vr, F25pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 150 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSQ-MELF, A
Корпус производителяD-5A

Среда

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/477