JAN1N6622/TR

Microchip Technology

JAN1N6622/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 660V 2A

В производствеA, AxialАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F10pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)2A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 660 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseA, Axial
Корпус производителяA, Axial

Среда

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C
QualificationMIL-PRF-19500/585