JAN1N6076

Microchip Technology

JAN1N6076

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 50V 1.3A E-PAK

В производствеE, AxialАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N6076
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.76 V @ 18.8 A
Current - Average Rectified (Io)1.3A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 50 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseE, Axial
Корпус производителяE-PAK

Среда

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 155°C
QualificationMIL-PRF-19500/503