JAN1N5819UR-1/TR

Microchip Technology

JAN1N5819UR-1/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

В производствеDO-213AB, MELF (Glass)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N5819
Capacitance @ Vr, F70pF @ 5V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияSchottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If490 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 45 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseDO-213AB, MELF (Glass)
Корпус производителяDO-213AB (MELF, LL41)

Среда

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 125°C
QualificationMIL-PRF-19500/586