JAN1N5420US

Microchip Technology

JAN1N5420US

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

В производствеSQ-MELF, EАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N5420
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)400 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 9 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 600 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSQ-MELF, E
Корпус производителяD-5B

Среда

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/411