JAN1N4150-1

Microchip Technology

JAN1N4150-1

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

В производствеDO-204AH, DO-35, AxialАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N4150
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 200 mA
Current - Average Rectified (Io)200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr100 nA @ 50 V
СкоростьSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDO-204AH, DO-35, Axial
Корпус производителяDO-35

Среда

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/231