Общие
| Capacitance @ Vr, F | 1.2pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Capacitance Ratio | 3.4 |
| Capacitance Ratio Condition | C0/C30 |
| Diode Type | Single |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Q @ Vr, F | 3200 @ 4V, 50MHz |
| Серия | GCX1202 |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Capacitance @ Vr, F | 1.2pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Capacitance Ratio | 3.4 |
| Capacitance Ratio Condition | C0/C30 |
| Diode Type | Single |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Q @ Vr, F | 3200 @ 4V, 50MHz |
| Серия | GCX1202 |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 30 V |
|---|
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус производителя | SOT-23-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
|---|