Общие
| Capacitance @ Vr, F | 2.4pF @ 20V, 1MHz |
|---|---|
| Capacitance Ratio | 8 |
| Capacitance Ratio Condition | C0/C15 |
| Diode Type | Single |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Q @ Vr, F | 900 @ 4V, 50MHz |
| Серия | GC15000 |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Capacitance @ Vr, F | 2.4pF @ 20V, 1MHz |
|---|---|
| Capacitance Ratio | 8 |
| Capacitance Ratio Condition | C0/C15 |
| Diode Type | Single |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Q @ Vr, F | 900 @ 4V, 50MHz |
| Серия | GC15000 |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 22 V |
|---|
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Chip |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
|---|