DN3525N8-G

Microchip Technology

DN3525N8-G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA

В производствеTO-243AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 200mA, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Электрические

Напряжение сток-исток250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C360mA (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность1.6W (Ta)

Механические

Корпус производителяTO-243AA (SOT-89)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)