APTM100H35FTG

Microchip Technology

APTM100H35FTG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

В производствеSP4Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 11A, 10V
Базовый Part NumberAPTM100
Конфигурация4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs186nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 25V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

Электрические

Напряжение сток-исток1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A
Power - Max390W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSP4
Корпус производителяSP4

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)