APTM100A23STG

Microchip Technology

APTM100A23STG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

В производствеSP4Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 18A, 10V
Базовый Part NumberAPTM100
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs308nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8700pF @ 25V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаChassis Mount
УпаковкаBulk
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA

Электрические

Напряжение сток-исток1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A
Power - Max694W

Механические

Package / CaseSP4
Корпус производителяSP4

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)