APTC60SKM24CT1G

Microchip Technology

APTC60SKM24CT1G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 95A SP1

В производствеSP1Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 47.5A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14400 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
СерияCoolMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 5mA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C95A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность462W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSP1
Корпус производителяSP1

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)