APT6029BLLG

Microchip Technology

APT6029BLLG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 21A TO247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 10.5A, 10V
Базовый Part NumberAPT6029
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2615 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPOWER MOS 7®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность300W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247 [B]

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)