Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 28A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11300 pF @ 25 V |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | POWER MOS 8™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1040W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Корпус производителя | T-MAX™ [B2] |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|