APT5010B2VRG

Microchip Technology

APT5010B2VRG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX

В производствеTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 500mA, 10V
Базовый Part NumberAPT5010
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8900 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPOWER MOS V®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C47A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Корпус производителяT-MAX™ [B2]