APT33GF120B2RDQ2G

Microchip Technology

APT33GF120B2RDQ2G

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 1200V 64A 357W TMAX

В производствеTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberAPT33GF120
Gate Charge170 nC
IGBT TypeNPT
Тип входаStandard
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C14ns/185ns
Test Condition800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)75 A
Power - Max357 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Variant

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)