Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 27A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3720 pF @ 25 V |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | POWER MOS 7® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 300 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 403W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Корпус производителя | D3PAK |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|