APT20M18B2VRG

Microchip Technology

APT20M18B2VRG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

В производствеTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 50A, 10V
Базовый Part NumberAPT20M18
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9880 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPOWER MOS V®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Корпус производителяT-MAX™ [B2]