APL502B2G

Microchip Technology

APL502B2G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

В производствеTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 29A, 12V
Базовый Part NumberAPL502
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9000 pF @ 25 V
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность730W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Корпус производителяT-MAX™ [B2]

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)