Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 24 V |
| Производитель | Microchip Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 90 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tj) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 6.25W (Tc) |
| Корпус | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Корпус производителя | TO-39 |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|