1N6628US

Microchip Technology

1N6628US

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

В производствеSQ-MELF, AАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N6628
Capacitance @ Vr, F40pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаBulk
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.35 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)1.75A
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 660 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseSQ-MELF, A
Корпус производителяA-MELF

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C