1N6625/TR

Microchip Technology

1N6625/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A

В производствеA, AxialАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F10pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)60 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.75 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 1100 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseA, Axial
Корпус производителяA, Axial

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C