1N6622US/TR

Microchip Technology

1N6622US/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

В производствеSQ-MELF, AАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F10pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 1.2 A
Current - Average Rectified (Io)1.2A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 660 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, A
Корпус производителяA-MELF

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C