1N6074/TR

Microchip Technology

1N6074/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 100V 850MA

В производствеA, AxialАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.04 V @ 9.4 A
Current - Average Rectified (Io)850mA
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 100 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseA, Axial
Корпус производителяA, Axial

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 155°C