1N5813R

Microchip Technology

1N5813R

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 75V 20A DO203AA

В производствеDO-203AA, DO-4, StudАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N5813
Capacitance @ Vr, F300pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаStud Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
ТехнологияStandard, Reverse Polarity

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If950 mV @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 75 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
Корпус производителяDO-203AA (DO-4)

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C