1N5804US/TR

Microchip Technology

1N5804US/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A

В производствеSQ-MELF, AАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F25pF @ 10V, 1MHz
ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 100 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, A
Корпус производителяD-5A

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C