1N5622US/TR

Microchip Technology

1N5622US/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A

В производствеSQ-MELF, AАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 1 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, A
Корпус производителяD-5A

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 200°C