1N5551USE3

Microchip Technology

1N5551USE3

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF

В производствеSQ-MELF, BАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 9 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 400 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSQ-MELF, B
Корпус производителяB, SQ-MELF

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C