1N3595US/TR

Microchip Technology

1N3595US/TR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF

В производствеSQ-MELF, BАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительMicrochip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)3 µs
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 200 mA
Current - Average Rectified (Io)4A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 nA @ 125 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, B
Корпус производителяB, SQ-MELF

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C