MSJP20N65A-BP

Micro Commercial Co

MSJP20N65A-BP

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1860 pF @ 25 V
ПроизводительMicro Commercial Co
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность151W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220AB (H)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)