MSJP08N90A-BP

Micro Commercial Co

MSJP08N90A-BP

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.62Ohm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds474 pF @ 25 V
ПроизводительMicro Commercial Co
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность113W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220AB (H)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)