MCG55P02A-TP

Micro Commercial Co

MCG55P02A-TP

Аналоговые и силовые компоненты

P-CHANNEL MOSFET, DFN3333

В производстве8-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6358 pF @ 10 V
ПроизводительMicro Commercial Co
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A
Макс. рассеиваемая мощность3.2W (Ta), 38W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN3333

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)