Общие
| Тип выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | Marktech Optoelectronics |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 20µs, 30µs |
| Sensing Distance | 1.5mm |
| Sensing Method | Reflective |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | Marktech Optoelectronics |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 20µs, 30µs |
| Sensing Distance | 1.5mm |
| Sensing Method | Reflective |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 60 mA |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Radial - 4 Leads |
| Рабочая температура | -20°C ~ 80°C |
|---|