TC58BYG2S0HBAI6

Kioxia America, Inc

TC58BYG2S0HBAI6

Память и хранение данных

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

В производстве67-VFBGAПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND (SLC)
Время доступа25 ns
Базовый Part NumberTC58BYG2
ПроизводительKioxia America, Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияBenand™
Время цикла записи25ns

Электрические

Объем памяти4Gbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания1.7V ~ 1.95V
Memory Organization512M x 8

Механические

КорпусTray
Package / Case67-VFBGA
Корпус производителя67-VFBGA (6.5x8)

Среда

Рабочая температура-40°C~85°C(TA)