VWM200-01P

IXYS

VWM200-01P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2-PAK

УстаревшийV2-PAKАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 100A, 10V
Базовый Part NumberVWM200
Конфигурация6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs430nC @ 10V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2mA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C210A

Механические

КорпусBox
Package / CaseV2-PAK
Корпус производителяV2-PAK

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)