Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 500mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 59000 pF @ 25 V |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | HiPerFET™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 130mA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 690A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2500W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Y3-DCB |
| Корпус производителя | Y3-DCB |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|