Общие
| Базовый Part Number | SS275 |
|---|---|
| Diode Configuration | 3 Common Cathode |
| Производитель | IXYS-RF |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 5 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Корпус производителя | DE275 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|