MMIX2F60N50P3

IXYS

MMIX2F60N50P3

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD

В производстве24-SMD Module, 9 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 30A, 10V
Базовый Part NumberMMIX2F60
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6250pF @ 25V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHiPerFET™, Polar3™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 4mA

Электрические

Напряжение сток-исток500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Power - Max320W

Механические

КорпусTube
Package / Case24-SMD Module, 9 Leads
Корпус производителя24-SMPD

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)