MMIX1G320N60B3

IXYS

MMIX1G320N60B3

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH

В производстве24-PowerSMD, 21 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge585 nC
IGBT TypePT
Тип входаStandard
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)66 ns
СерияGenX3™
Switching Energy2.7mJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C44ns/250ns
Test Condition480V, 100A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 100A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)400 A
Current - Collector Pulsed (Icm)1000 A
Power - Max1000 W

Механические

КорпусTube
Package / Case24-PowerSMD, 21 Leads
Корпус производителя24-SMPD

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)