Общие
| Базовый Part Number | LSIC1MO120 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-263-7 |